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IGBT倍頻技術(shù):原理及應(yīng)用解析
IGBT 倍頻技術(shù)是一種基于IGBT的高頻變換技術(shù),主要通過(guò)特定的電路設(shè)計(jì)和控制策略,使 IGBT 的輸出頻率能夠達(dá)到其開(kāi)關(guān)頻率的數(shù)倍,從而提高電力電子系統(tǒng)的性能和效率。
IGBT兩種開(kāi)關(guān)技術(shù):硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)的區(qū)別探討
軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的開(kāi)關(guān)速度更快,效率更高,損耗更低,由于這些優(yōu)勢(shì),軟開(kāi)關(guān)模式適用于高頻率的應(yīng)用,例如感應(yīng)電熱電源等行業(yè)。
IGBT模塊死區(qū)時(shí)間設(shè)置詳解
死區(qū)時(shí)間,是指在IGBT的控制策略中加入的“互鎖延時(shí)時(shí)間”,用于避免由于IGBT開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間不一致而導(dǎo)致的橋臂直通現(xiàn)象。
IGBT有源鉗位技術(shù)的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)
有源鉗位電路的目的是鉗住IGBT的集電極電位,使其不要到達(dá)太高的水平,如果關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰太高,或者太陡,都會(huì)使IGBT受到威脅。有源鉗位電路通常在故障狀態(tài)下才會(huì)動(dòng)作,正常時(shí)是不工作的。
英飛凌:預(yù)涂導(dǎo)熱硅脂的IGBT模塊技術(shù)與市場(chǎng)應(yīng)用
英飛凌預(yù)涂硅脂的IGBT模塊產(chǎn)品組合涵蓋了不同的封裝系列,如市場(chǎng)常用的62mm、Easy和EconoDAUL、IHM/IHV B、PrimePACK?和XHP?等系列,預(yù)涂硅脂標(biāo)志是在型號(hào)后面帶有P,如FF450R12KT4P。這些產(chǎn)品系列采用了最新的IGBT技術(shù),擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí),適用于幾乎所有應(yīng)用。
金升陽(yáng)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品介紹
金升陽(yáng)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片是一款高性能且可靠的驅(qū)動(dòng)器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將介紹其主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。
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